威創(chuàng)Viatran進(jìn)口壓力傳感器 5093BPS

廈門(mén)元航

沈173經(jīng)0601理8800

威創(chuàng)Viatran 進(jìn)口壓力傳感器 5093BPS壓阻式傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓組效應(yīng)在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)而制成的器件。其基片可直接作為測(cè)量傳感元件，擴(kuò)散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時(shí)，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。

用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和 ，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來(lái)越受到人們的重視，尤其是以測(cè)量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用遍。

美國(guó)威創(chuàng)Viatran 壓力傳感器 5093BPS

美國(guó)威創(chuàng)Viatran 壓力傳感器 5093BQS

美國(guó)威創(chuàng)Viatran 壓力傳感器  520BQS

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威創(chuàng)Viatran 進(jìn)口壓力傳感器 5093BPS美國(guó)威創(chuàng)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化，磁場(chǎng)越強(qiáng)，電壓越高，磁場(chǎng)越弱，電壓越低。霍爾電壓值很小，通常只有幾個(gè)毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強(qiáng)的信號(hào)。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機(jī)械的方法來(lái)改變磁場(chǎng)強(qiáng)度。下圖所示的方法是用一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)的葉輪作為控制磁通量的開(kāi)關(guān)，當(dāng)葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時(shí)，磁場(chǎng)偏離集成片，霍爾電壓。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅(qū)動(dòng)軸的某一位置，利用這一工作原理，可將霍爾集成電路片用作用點(diǎn)火正時(shí)傳感器。霍爾效應(yīng)傳感器屬于被動(dòng)型傳感器，它要有外加電源才能工作，這一特點(diǎn)使它能檢測(cè)轉(zhuǎn)速低的運(yùn)轉(zhuǎn)情況。

EMG電動(dòng)缸LLS 675/02

EMG伺服閥SV1-10/32/315-6

EMG伺服閥SV1-10/8/315/6

EMG伺服閥SV1-10/16/120/6

EMG伺服閥SV1-10/48/315-6

EMG伺服閥SV1-10/16/315-6

EMG傳感器KLW 300.012

EMG傳感器KLW 150.012

EMG傳感器KLW 225.012

EMG傳感器KLW 360.012

EMG傳感器KLW150.012

EMG傳感器KLW225.012

EMG傳感器KLW300.012

EMG傳感器KLW450.012

EMG傳感器KLW600.012

SV1-10/8/315/6 伺服閥 EMG

SV1-10/48/315/6 伺服閥 EMG

SV1-10/32/100/6 伺服閥 EMG

SV1-10/4/120/6 伺服閥 EMG

SV2-16/125/315/1/1/01伺服閥EMG

HFE400/10H濾芯EMG

KLM300/012位移傳感器EMG

LLS675/02 LICHTBAND對(duì)中整流器EMG

LIC1075/11光發(fā)射器EMG

EVK2.12 電路處理板EMG

BK11.02 電源EMG

MCU16.1 處理器EMG

VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/EMG

LID2-800.2C 對(duì)中光源發(fā)射器EMG

LID2-800.2C 對(duì)中光源發(fā)射器EMG